檢索結果：共14筆資料 檢索策略： "發光二極體".ckeyword (精準) and cadvisor.raw="葉秉慧"
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此篇論文是使用商用氮化鎵磊晶於矽基板，磊晶結構為藍光發光二極體之晶圓製作積體化發光二極體(LED)和監控光偵測器(MPD)元件，以兩片不同廠商製作的晶圓，相同製程步驟和相似的製程參數製作，並做光電特…
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氮化鎵材料系統被廣泛的應用於高功率發光二極體。其中很重要的一部分在於透明導電層的製作。ITO (Indium-tin-oxide)是廣泛被使用的材料之一，應用於氮化鎵系統的材料之中，卻出現了嚴重的問…
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本論文研製積體化氮化鎵發光二極體與監控發光強度的光偵測器，量測其發光二極體基本光電特性、p-i-n光偵測器基本光電特性、p-i-n光偵測器室溫下暗電流以及在與發光二極體不同距離下p-i-n光偵測器所…
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本論文使用商業紫外光發光二極體晶圓製作積體化UV LED與監控光偵測器元件，優化之前的設計。並聯多顆LED以加大光功率，並聯多顆MPD以加大監控響應率。在元件並聯前後分別去量測UV …
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發光二極體LED(Light Emitting Diode)其用途及性能都極為廣泛，但可見光發光二極體主要是在藍寶石基板上磊晶，所以散熱一直是個問題。為了改善這個問題，我們利用覆晶封裝的技術，將氮化…
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改善氮化鎵發光二極體(GaN Light-Emitting Diode)的電流分佈，來得到高發光效率的元件一直是近來年研究的重要議題之一，在使用藍寶石基板(Sapphire)作為發光二極體元件的基板…
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由於希望在未來可以將光電元件與電子元件積體化，而製作電子元件時大部分的基板都是矽，最近氮化鎵晶圓廠商開始商品化氮化鎵磊晶在矽基板(GaN-on-Si)。而在過去，本實驗室是以氮化鎵磊晶在藍寶石…
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本論文使用商用氮化鎵LED晶圓，利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程，選擇性的將部分最上層的p-AlGaN反轉成n-AlGaN，使其結構由p-i-n變成n-p-i-n結構，在同一…
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近年來氮化鎵材料已成為製作藍光發光二極體的主流且快速的發展。另一方面，自從氮化銦能隙更正後，發現以能隙為紫外光波長的氮化鎵(3.4eV)與紅外光波長的氮化銦(0.7eV)組成的氮化銦鎵，能組合成幾乎…
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本論文使用商用氮化鎵發光二極體晶圓，晶圓編號為ELV(紫光)與FEB(藍光)，在這兩片晶圓上製作出p-i-n光偵測器與發光二極體(LED)。兩種元件設計的差異主要是p型歐姆接觸金屬ITO面積的範圍，…